5gb/t24235-1995電工電子產(chǎn)

　　3gb/t2423.3-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ca:恒定濕熱試驗(yàn)方法

　　4gb/t2423.4-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)db:交變濕熱試驗(yàn)方法

　　5gb/t2423.5-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)ea和導(dǎo)則:沖擊

　　6gb/t2423.6-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)eb和導(dǎo)則：碰撞

　　7gb/t2423.7-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ec和導(dǎo)則:傾跌與翻倒(主要用于設(shè)型樣品)

　　8gb/t2423.8-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ed:自由跌落

　　9gb/t2423.9-2001電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)cb:設(shè)用恒定濕熱

　　10gb/t2423.10-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fc和導(dǎo)則:振動(dòng)(正弦)

　　11gb/t2423.11-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fd:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--一般要求

　　12gb/t2423.12-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fda:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--高再現(xiàn)性

　　13gb/t2423.13-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fdb:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)中再現(xiàn)性

　　14gb/t2423.14-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fdc:寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)低再現(xiàn)性

　　15gb/t2423.15-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ga和導(dǎo)則:穩(wěn)態(tài)加速度

　　16gb/t2423.16-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)j和導(dǎo)則:長霉

　　17gb/t2423.17-1993電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ka:鹽霧試驗(yàn)方法

　　19gb/t2423.19-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法

　　20gb/t2423.20-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kd:接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法

　　21gb/t2423.21-1991電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)m:低氣壓試驗(yàn)方法

　　22gb/t2423.22-2002電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)n:溫度變化

　　24gb/t2423.24-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)sa:模擬地面上的太陽輻射

　　25gb/t2423.25-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/am:低溫／低氣壓綜合試驗(yàn)

　　26gb/t2423.26-1992電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/bm:高溫／低氣壓綜合試驗(yàn)

　　27gb/t2423.27-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/amd:低溫/低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)方法

　　28gb/t2423.28-1982電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)t:錫焊試驗(yàn)方法

　　29gb/t2423.29-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)u:引出端及整體安裝件強(qiáng)度

　　30gb/t2423.30-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)xa和導(dǎo)則:在清洗劑中浸漬

　　31gb/t2423.31-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程傾斜和搖擺試驗(yàn)方法

　　32gb/t2423.32-1985電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)方法

　　33gb/t2423.33-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kca:高濃度二氧化硫試驗(yàn)方法

　　34gb/t2423.34-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/ad:溫度/濕度組合循環(huán)試驗(yàn)方法

　　35gb/t2423.35-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/afc:散熱和非散熱試驗(yàn)樣品的低溫/振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法

　　36gb/t2423.36-1986電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)z/bfc:散熱和非散熱樣品的高溫/振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法

　　37gb/t2423.37-1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)l:砂塵試驗(yàn)方法

　　38gb/t2423.38-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)r:水試驗(yàn)方法

　　39gb/t2423.39-1990電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ee:彈跳試驗(yàn)方法

　　40gb/t2423.40-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱

　　41gb/t2423.41-1994電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程風(fēng)壓試驗(yàn)方法

　　42gb/t2423.42-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)低溫/低氣壓/振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法

　　43gb/t2423.43-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法元件、步入式高低溫試驗(yàn)室設(shè)和其他產(chǎn)品在沖擊(ea)、步入式高低溫試驗(yàn)室碰撞(eb)、振動(dòng)(fc和fb)和穩(wěn)態(tài)加速度(ca)等動(dòng)力學(xué)試驗(yàn)中的安裝要求和導(dǎo)則

　　44gb/t2423.44-1995電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)eg:撞擊彈簧錘

　　46gb/t2423.46-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)ef：撞擊擺錘

　　48gb/t2423.48-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ff:振動(dòng)--時(shí)間歷程法

　　49gb/t2423.49-1997電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)fe:振動(dòng)--正弦拍頻法

　　50gb/t2423.50-1999電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗(yàn)

　　51gb/t2423.51-2000電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)ke:流動(dòng)混合氣體腐蝕試驗(yàn)

　　四、復(fù)合鹽霧試驗(yàn)箱步入式高低溫試驗(yàn)室gb24241.gb2424.1-89電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程高溫低溫試驗(yàn)導(dǎo)則

　　4.gb/t2424.10-93電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程大氣腐蝕加速試驗(yàn)的通用導(dǎo)則

　　5.gb/t2424.11-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程接觸點(diǎn)和鏈接件的二氧化硫試驗(yàn)導(dǎo)則

　　6.gb/t2424.12-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)導(dǎo)則

　　7.gb/t2424.13-81電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度變化試驗(yàn)導(dǎo)則

　　8.gb/t2424.14-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程第2部分：試驗(yàn)方法太陽輻射試驗(yàn)導(dǎo)則

　　9.gb/t2424.15-92電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度/低氣壓綜合試驗(yàn)導(dǎo)則10.gb/t2424.17-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程錫焊試驗(yàn)導(dǎo)則

　　11.gb/t2424.18-82電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程在清洗濟(jì)中浸漬試驗(yàn)導(dǎo)則

　　12.gb/t2424.19-84電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程模擬儲存影響的環(huán)境試驗(yàn)導(dǎo)則

　　13.gb/t2424.20-85電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程傾斜和搖擺試驗(yàn)導(dǎo)則

　　14.gb/t2424.21-85電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)導(dǎo)則

　　15.gb/t2424.22-86電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度（低溫、復(fù)合鹽霧試驗(yàn)箱復(fù)合鹽霧試驗(yàn)箱高溫）和振動(dòng)（正玄）綜合試驗(yàn)導(dǎo)則

　　16.gb/t2424.23-90電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程水試驗(yàn)導(dǎo)則

　　17.gb/t2424.24-1995電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度（低溫、高溫）/低氣壓/振動(dòng)（正玄）綜合試驗(yàn)導(dǎo)則
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